II Zeitabschnitt 1970 -1985

II Zeitabschnitt 1970 -1985 – an der Friedrich-Schiller-Universität Jena

Festkörperchemie elektronenleitender und infrarotdurchlässiger Gläser – Chalkogenidgläser, Oxidgläser mit Übergangsmetalloxiden und verwandte kristalline Syteme.

80 Diplomarbeiten und 19 Dissertationen (17 in eigener Betreuung), 4 Habilitationen begleitet

Projekte

• 1971 -1985 „Struktur-Eigenschaftsbeziehungen und neue Glassysteme“
  Teilaufgabenstellung in der Komplexen Forschungsaufgabe Glas (KFA)-ein vom Ministerium für Hoch-und Fachschulwesen (MHF) und der Akademie der Wissenschaften (AW) zentral finanziertes Projekt, das die Grundlagen-Glasfor-schung der DDR in bis zu 11 verschiedenen Forschungsgruppen mit Orientierung auf potentielle Anwendungen vereinigte.

• Elektronenleitende Gläser
  Vertragsforschung mit VEB Werk für Fernsehelektronik (WF Berlin) 1969-1980

1. 1969/70 „Elektronenleitende Oxidgläser und neue glasbildende Chalkogenidsysteme – Gläser mit Schalteffekt (Ovshinsky-Effekt)“

2. 1970/71 „Halbleiterschaltelemente auf der Basis elektronenleitender Gläser“

3. 1972/74 „Herstellung und Charakterisierung von Aufdampfschichten halbleitender Gläser in Bezug auf ihren nichtlinearen Kennlinienverlauf und Realisierung des reversiblen Schalteffekts“

4. 1975/76 „Reproduzierbare Herstellung amorpher Aufdampfschichten, deren analytische und physikalische Charakterisierung als Voraussetzung zur Aufklärung des Ladungsträgertransportmechanismus der nichtlinearen Kennlinie im Vor-Umschaltbereich“.

5. 1977/78 „Aufklärung des Ladungstransportmechanismus, der dem nichtlinearen Kennlinieverlauf dünner Chalkogenidschichten im Bereich vor dem Schwellwertschalter-Effekt zugrunde liegt“.

6. 1979/80 „Amorphe Schichten mit steiler Kennlinie“

   Vertragsforschung mit dem VEB Pentacon Dresden

7. 1975/76 „Herstellung und Photoleitfähigkeitsmessungen an Aufdampfschichten von Se, dotierten Se-Schichten und ausgewählten Chalkogenidschichten, auch solchen mit organischen Gruppen“.

• Gläser für Hochleistungsoptiken
  Vertragsforschung mit dem VEB Jenaer Glaswerk Schott &Gen. nach den Vorgaben des Kombinats VEB Carl Zeiss 1977-1985

1. 1977/81 „Gläser mit niedriger spannungsoptischer Konstante“

2. 1077/85 „Chalkogenidgläser für IR-optische Anwendungen

3. 1981/85 “Infrarotgläser mit anomaler Teildispersion für Optiken im Spektralbereich 8 bis 12 µm“

4. 1980/85 “Hochbrechende Gläser mit hoher UV-Transparenz“

5. 1077/85 „Ionenleitende Gläser für Gradientenoptik (Glasfaser)“

• Festkörperchemie an ausgewählten Oxidsystemen
  Vertragsforschung mit dem VEB Keramische Werke Hermsdorf (KWH)

1. 1981/90 „Optimierung von Eisenoxiden für ausgewählte Ferritsysteme“

 

Publikationen

1. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
   Zur Glasbildung im System Ge – Te – I,
   A. Feltz und H. Büttner, Z. Chem. 12, 392 (1972)

2. Eigenschaften und Anwendung elektronenleitender Gläser (review)
   A. Feltz, Teil I Nachrichtentechnik 22 (1), 29 (1972), Teil II Nachrichtentechnik 22 (2), 58 (1972)

3. Glashalbleiter – Werkstoffe, Eigenschaften, Anwendungen – Kapitel zur Monographie „Grundlagen aktiver elektronischer Bauelemente“
   A. Feltz, VEB Deutscher Verlag für Grundstoffindustrie, Leipzig 1972, 245 – 260

4. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
   Über die glasartigen Systeme Ge – Te – I und Ge – Te – Si und den Einfluß der Mikrophasen-trennung auf das Halbleiterverhalten der Ge – Se – Gläser.
   A. Feltz, H. Büttner, F.-J. Lippmann und W. Maul, J. Non-Cryst. Solids 8-10, 64 (1972)

5. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
   Über das Schaltverhalten amorpher As₃₀Ge₁₀Si₁₂Te₄₆ – Filme.
   Schirrmeister und A. Feltz, XVII. Int. Wiss. Koll. der TH Ilmenau,elektr. Inf. u. Energietechnik 4, 203 (1972)

6. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsysteme
   Zur Glasbildung im System As – Ge – Si – Te und Ge – Si – Te
   A. Feltz, W. Maul und I. Schönfeld, Z. anorg. allg. Chem. 396, 103 (1973)

7. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
   Zur Glasbildung im System Germanium – Selen
   A. Feltz und F. – J. Lippmann, Z. anorg. allg. Chem. 398, 157 (1973)

8. Struktur und Reaktivität kovalenter Halbleitergläser – Kapitel zur Monographie „Festkörperchemie“
   A. Feltz, VEB Deutscher Verlag für Grundstoffindustrie, Leipzig 1973, 351 – 363, hrsggb. Von K. Meyer und Boldyrev

9. Struktur und Reaktivität kovalenter Halbleitergläser – Kapitel zur Monographie „Festkörperchemie“
   A. Feltz, VEB Deutscher Verlag für Grundstoffindustrie, Leipzig 1973, 351 – 363, hrsggb. Von K. Meyer und Boldyrev

10. Beziehungen zwischen Struktur und Eigenschaften glasartiger Halbleiter – Kapitel zur Monographie „Probleme der Festkörperelektronik“
    A. Feltz, VEB Verlag Technik, 1975, 82–130

11. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Bleithiogermant(II,IV) – Gläser und deren Eigenschaften
    A. Feltz und B. Voigt, Z. anorg. allg. Chem. 403, 61 (1974)

12. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Über Glasbildung im System Ge -S – Sn und die Mößbauerspektren der Gläser
    A. Feltz, E. Schlenzig und D. Arnold, Z. anorg. allg. Chem. 403, 243 (1974)

13. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Strukture and properties of glasses formed in the system SnS-GeS-SnS₂ and PbS-GeS-GeS_­2
    A. Feltz, B. Voigt and E. Schlenzig, Proc. Vth Int. Conf. Amorph. Liquid Semicond. Garmisch-Partenkirchen 1973, Vol. 1 261 (1974)

14. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsysteme
    Über den Einbau von Schwermetallen in Chalkogenidgläser
    A. Feltz, Wiss. Zeitschr. der FSU, Math. – Naturwiss. Reihe, 23, 327 – 340 (1974)

15. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Silberthiogermanate(II,IV) – Gläser,
    A. Feltz und Ch. Thieme, Z. Chem. 14(1), 32 (1974)

16. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Anwendung der Theorie des freien Volumens auf Gläser und Schmelzen im System Ge – Se.
    A. Feltz, Z. anorg. allg. Chem. 412, 20 (1975)

17. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Zur Glasbildung im System PbSe-GeSe-GeSe₂,
    A. Feltz und L. Senf, Z. Chem. 15, 119 (1975)

18. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    ESCA – Measurements of Ge – S – and Ge – Se – Glasses,
    A. Feltz, B. Voigt, W. Burckhardt, Senf and G. Leonhardt, Proc. VI th Int. Conf. Amorph. Liqid Semicond., Leningrad 1975,Vol 1, 88 (1976)

19. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems.
    New Vitreous Semiconductors
    A. Feltz, W. Burckhardt, L. Senf and B. Künzel, Proc. VI th Int. Conf. Amorph. Liqid Semicond., Leningrad 1975, Vol 1, 24 (1976)

20. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems.
    New Vitreous Semiconductors
    A. Feltz, W. Burckhardt, L. Senf and B. Künzel, Proc. AJP Structure and Excitations Amorph. Solids, Williamsburg, VA, USA 1976, 313

21. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Über Strukturbeziehungen bei Erdalkali(IV/V) – Oxiden
    A. Feltz und S. Schmalfuß, Kristall und Technik 6 (3), 367 – 376 (1971)

22. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Die Herstellung und einige Eigenschaften von reinen und dotierten BaTiO₃ – Einkristallen
    A. Feltz und H. Langbein, Kristall und Technik 6 (3), 359 – 366 (1971)

23. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Zur Glasbildung im System K₂O – SiO₂ – VO₂,
    A. Feltz und I. Linke, Z. anorg. allg. Chem. 415, 156 (1975)

24. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Zum Übergang von der Ionenleitung zur Elektronenleitung in Gläsern der Reihe (BaO)_x(K₂O)_25-x(Sio₂)₃₀(VO₂)₂₅
    A. Feltz und I. Linke, Z. anorg. allg. Chem. 415, 161 (1975)

25. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Glasbildung, elektrische Leitfähigkeit und das Rekristallisationsverhalten der Gläser im System BaO – SiO₂ – VO₂
    A. Feltz, S. Schmalfuß und I. Linke, Z. Chem. 15, 118 (1975)

26. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Über die Verbindungen Ba₂VSi₂O₈ und BaVSi₂O₇,
    A. Feltz, S. Schmalfuß, H. Langbein und M. Tietz, Z. anorg. allg. Chem. 417, 125 (1975)

27. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Darstellung und Eigenschaften von BaVO₃,
    A. Feltz und S. Schmalfuß, Z. anorg. allg. Chem. 417, 130 (1975)

28. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Über die Verbindung Sr₆V₆O₁₉
    A. Feltz und S. Schmalfuß, Z. anorg. allg. Chem. 417, 137 (1975)

29. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Zur Darstellung der Verbindungen Ba₂VO₄ und Sr₂VO₄ und die Reduktion Ca₂V₂O₇ im H₂-Strom
    A. Feltz und S. Schmalfuß, Z. Chem. 15, 289 (1975)

30. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Über die Verbindung K₅V₅O₁₃
    A. Feltz und S. Schmalfuß, Z. Chem. 15, 370 (1975)

31. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Zur Mischkristallbildung und den Spektren des Vanadin(IV)-Ions in den Reihen BaTi_1-xV_xO₃ und Ba₂Ti_1-xV_xO₄
    A. Feltz und S. Schmalfuß, Z. Chem. 15, 323 (1975)

32. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Electrical Conductivity and the Optical Absorption of a – and c – Domain Crystals of BaNb_xTi^III_xTi^IV_1-2xO₃
    A. Feltz und H. Langbein, Ferroelectrics 15, 7 (1977)

33. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Electrical Conductivity and the Optical Absorption of a – and c – Domain Crystals of BaV^IV_xTi^IV_1-xO₃
    A. Feltz und H. Langbein, Kristall und Technik 11 (5) 523 – 532 (1976)

34. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Über die Verbindungen Ba₆Nb₂^IVNb₈^VO₃₀ und Ba₉Cu^IINb₁₄O₄₅ und Untersuchungen zur Mischkristallbildung Ba₆Ti^IV₂Nb^V₈O₃₀,
    A. Feltz und H. Langbein, Z. anorg. allg. Chem. 425, 45 (1976)

35. Untersuchungen an elektronenleitenden Oxidsystemen
    Zum Einfluß der Polarisierbarkeit der Sauerstoffionen auf die elekrische Leitfähigkeit VO₂ enthaltender Gläser
    A. Feltz und R. Wollenhaupt, Z. anorg. allg. Chem. 466, 41 (1980)

36. Investigations on Electronically Conducting Oxide Systems
    Electrical Conductivity of VO₂ Containing Glasses in Dependence on the Polarizability of the Oxide Ions, Proc. VIIIth Int. Conf. Amorph. Liquid Semicond. Cambridge/Ma.USA 1979
    A. Feltz und R. Wollenhaupt, J. Non-Cryst. Solids 35/36 1015 – 1020 (1980)

37. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Zur Struktur der GeS/GeS₂ – und GeSe/GeSe₂ – Gläser.
    A. Feltz, W. Burckhardt, L. Senf, B. Voigt und K. Zickmüller, Z. anorg.allg. Chem. 435, 172 (1977)

38. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    ESR – Untersuchungen an Germanium-Chalcogen-Gläsern.
    A. Feltz, B. Voigt und B. Schröder, Z. Chem. 18, 77 (1978)

39. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemens
    Struktur – Eigenschaftsbeziehungen in Ge – Sn – Se – Te – Gläsern
    A. Feltz, B. Voigt und B. Schröder, Z. Chem. 18, 77 (1978)

40. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Das Phasendiagramm SnS – GeS₂.
    A. Feltz, W. Ludwig und R. Seiss, Kristall und Technik, 13 (4), 405 (1978)

41. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Über die Verbindungen Na₆Ge₂S_{6 *} 4 CH₃OH und Na₆Ge₂Se_{6 *} 4 CH₃OH
    A. Feltz und G. Pfaff, Z. anorg. allg. Chem. 442, 41 – 48 (1978).

42. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Zur Darstellung von GeCl₂ aus Germaniumsulfiden,
    A. Feltz und G. Dresler, Z. Chem. 18, 420 (1978)
    

43. Zur Glasbildung im System GeS₂ – GeS – GaS_1±k,
    A. Feltz und A. Krautwald, Z. Chem. 19, 79 (1979)

44. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Germaniumchalkogenidgläser mit hohem Gehalt an Zinn, Blei oder Quecksilber
    A. Feltz, W. Burckhardt, L. Senf und B. Voigt,Proc. XI. Inter. Glasgongreß, Prag 1977, Vol. I, 389 (1977)

45. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems.
    On Structure of GeS/GeS₂ – and GeSe/GeSe₂ – Glasses and Amorphpous Compounds of Ge₂S₃ and Ge₂Se₃,
    A. Feltz, K. Zickmüller und G. Pfaff, Proc. VIIth Inter. Conf. Amorph. Liquid Semicond., Edinburgh, 1977, p. 125.

46. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Bleiselenogermanat – Gläser und ihre Eigenschaften.
    A. Feltz und L. Senf, Z. anorg. allg. Chem. 444, 195 – 210 (1978).

47. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Zur Glaschemie des Germaniumdisulfides
    B. Voigt, Z. anorg. allg. Chem. 447, 153 – 160 (1978).

48. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems I
    On Glass Formation in the System Ge – Pb – Se – Te.
    A. Feltz, G. Kley and I. Linke, J. Non-Cryst. Solids 330, 299 – 309 (1979)

49.  Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Zur Glasbildung von HgSe mit Germaniumseleniden.
    A. Feltz und W. Burckhardt, Z. anorg. allg. Chem. 461, 35 – 47 (1980).

50. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Über die Verbindungen Ge₂S₃ und Ge₂Se₃ und den Vergleich mit anderen amorphen und glasartigen Substanzen
    A. Feltz, Revue de Chimie Minerale 16, 381 – 391, 1979.

51. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Chalkogenidgläser als infrarotdurchlässige optische Medien.
    A. Feltz, D. Linke und B. Voigt, Z. Chem. 20, 81 (1980)

52. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Über neue infrarotdurchlässige optische Gläser.
    A. Feltz, B. Voigt, L. Senf und G. Dresler, Konfrerenzband des 1. Otto Schott Kolloquiums, Wiss. Zeitschr. der FSU, Math. Naturwiss. Reihe 28, 327 – 338 (1979).

53. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems.
    Kinetics of Evaporation of Vitreous Ge₂Se₃ and Deposition of Amorphous Thin Films,
    A. Feltz and Ch. Kaps, Thin Solid Films, 70, 117 – 125 (1980).

54. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems.
    Preparation of Amorphous Layers of Ge₄Se₅Te and their Electrical Properties.
    A. Feltz, Ch. Kaps and F. Schirrmeister, Thin Solid Films, 70, 175 – 180 (1980).

55. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Charge Carrier Transport Mechanism in Amorphous Layers of the Composition Ge₄Se₅Te
    A. Feltz and F. Schirrmeister, phys. stat. solidi (a), 57, 591 – 599 (1980).

56. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    The Poole-Frenkel Effect in the Model of Charged Dangling Bonds
    Kahnt, F. Schirrmeister and A. Feltz, phys. stat. solidi (a) 57 K183 (1980)

57. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Poole-Frenkel Controlled Charge Carrier Transport of Amorphous Layers Ge₄Se₅Te in the Model of Charged Dangling Bonds
    A. Feltz, F. Schirrmeister and H. Kahnt, Non-Cryst. Solids 35/36, 865 – 870, (1980), Proc. VIIIth Int. Conf. Amorph. LiquidSemiconductors Cambridge/Ma. USA, 1979.

58. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Preparation and D. C. Conductivity Studies of Amorphous Layers with the Composition Ge₃₅Se₅₃Te₁₈Hg₂
    Ch. Kaps and A. Feltz, Thin Solid Films 79, 117 – 124 (1981).

59. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Evidence for Charged Defects in Chalcogenides from High Field Conductivity,
    A. Feltz, H. Kahnt and F. Schirrmeister, J. de Physique, Coll. C4 42, 935 – 938 (1981), Proc. Int. Conf. Amorph. Liquid Semicond. Grenoble 1981.

60. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    The Influence of Concentration Gradients on the Rectifying Behavior of Amorphous Ge – Se – Pb – Layers
    Ch. Kaps and A. Feltz, Thin Solid Films 77, L39 – L41 (1981).

61. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Modified Flash Evaporation Technique for the Preparation of Thin Amorphous Semiconductor Films,
    H. Kahnt and A. Feltz, Thin Solid Films 98, 211 – 214 (1982).

62. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    The Influence of Preparation Technique on the Conductivity of Thin Amorphous Ge₄Se_6-xTe_x Films
    H. Kahnt and A. Feltz, Thin Solid Films 150, 125 – 133 (1987).

63. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Electric Field Dependence of Conductivity in Thin Amorphous Films and Bulk Glassesof the System Ge₄Se_6-xTe_x,
    H. Kahnt and A. Feltz, Thin Solid Films 150, 135 – 143 (1987).

64. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Frequency Dependent Conductivity and the Distribution Function of Hopping Events.
    Schirrmeister, H. Kahnt and A. Feltz, J. Non-Cryst. Solids 97/98 523 – 526 (1987).

65. Über Na₃GeS₃Br und Na₃GeSe₃Br und die amorphen Verbindungen Ge₂S₃ und Ge₂Se₃.
    A. Feltz und G. Pfaff, Z. anorg. allg. Chem. 467, 211 – 217 (1980).

66. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Das Phasendiagramm PbSe – GeSe₂ und die Verbindung Pb₂GeSe₄.
    A. Feltz, W. Ludwig, L. Senf und C. Simon, Kritall und Technik 15, 895 – 901 (1980).

67. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    On Glass Formation in the System Hg – Ge – Se – Te.
    A. Feltz and W. Burckhardt, J. Non-Cryst. Solids 41, 301 – 317 (1980).

68. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    The Model of Charged Dangling Bonds in Liquid and Vitreous Inorganic Systems.
    A. Feltz, J. Non-Cryst. Solids 41, 355 – 369 (1981).

69. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Permittivity of Selenium
    A. Feltz and H. Aust, J. Non-Cryst. Solids 51, 395 – 398 (1982).

70. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Permittivity and the Structure of Glasses As_xSe_1-x and Ge_xSe_1-x.
    A. Feltz, H. Aust and A. Blayer, J. Non-Cryst. Solids 55, 179 – 190 (1983).

71. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Die Verbindungen Na₆Si₂S₆ und Na₆Si₂Se₆ und deren Bromspaltprodukte Na₃SiS₃Br und Na₃SiSe₃Br
    A. Feltz und G. Pfaff, Z. Chem. 23, 68 (1983).

72. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Structure and Properties of the Non-Cryst. Compounds Ge₂S₃ and Ge₂Se₃
    A. Feltz, M. Pohle and G. Pfaff, Proc. 2nd Europ. Conf. Solid State Chemistry, Eindhoven 1982.

73. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Zur Ermittlung der Ge-Ge – und Si-Si – Bindungsenergie in den Verbindungen Na₆M₂X₆ (M: Si, Ge; X: S, Se)
    A. Feltz und G. Pfaff, Z. anorg. allg. Chem. 504, 173 (1983).

74. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Influence of the Preparation Technique on the Conductivity of Amorphous Chalcogenides in the System Ge₄Se_6-xTe_x,
    H. Kahnt and A. Feltz, J. Non-Cryst. Solids 86, 33 – 40 (1986).

75. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Interpretation of the Different Conductivity of Bulk and Thin Film Chalcogenide Glasses in the System Ge₄Se_6-xTe_x,
    H. Kahnt and A. Feltz, J. Non-Cryst. Solids 86, 41- 47 (1986).

76. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    RDF Studies on the Structure of Vitreous GeS₂ and GeSe₂.
    A. Feltz, M. Pohle, H. Steil and G. Herms J. Non-Cryst. Solids 69, 271 – 282 (1986).

77. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    RDF Studies on the Structure of Vitreous Ge₂S₃ and Ge₂Se₃.
    A. Feltz, M. Pohle, H. Steil and G. Herms J. Non-Cryst. Solids 69, 283 – 291 (1986).

78. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Kondensierte Thio – und Selenohypodigermanate und -silicate Na₆M₄X₁₀ (M = Si, Ge) und Na₄Ge₄X₈ (X = S, Se)
    A. Feltz und G. Pfaff, Z. anorg. allg. Chem. 517, 136 – 142 (1984).

79. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Na₄Ge(Se₂)₄ as a model compound for the short range order of vitreous GeSe₄
    A. Feltz and G. Pfaff, J. Non-Cryst. Solids 69, 425 – 428 (1985)

80. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Über die Verbindungen Na₄Ge(Se₂)₄ und Na₄Ge(S₂)_{4 *} 2 CH₃OH.
    A. Feltz und G. Pfaff, Z. Chem. 24, 446 (1984).

81. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Ordering States in Non-Crystalline Compounds.
    A. Feltz and G. Pfaff, , J. Non-Cryst. Solids 77/78, 1137 – 1140 (1985)

82. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen
    Struktur und Eigenfehlordnung glasbildender Verbindungen
    A. Feltz, Proc. 2nd. Inter. Otto-Schott – Kolloquium, Jena 1982, Wiss. Zeitschr. FSU, Mathemat. Naturwiss. Reihe 32 427 (1983)

83. Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalcogenide Systems
    The Influence of the Structure of Different Arsenic Chalcogenide Glasses on Refractive Index and Dispersion, Phys. Status Solidi 118, 653 – 660 (1983)
    

84. Über Glasbildung und Eigenschaften in Chalcogenidsystemen
    The Influence of the Structure of Different Germanium Chalcogenide Glasses on the Molar Refraction and ist Wavelength Dependence.
    Burckhardt und A. Feltz, Phys. Status Solidi 118, 463 – 470 (1983)

85. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    The Influence of the Structure of Different Arsenic chalcogenide Glasses on the Dispersion Parameters of a Sellmeier and a Lorentz – Lorenz – Relation
    Burckhardt, A. Feltz and P. Bussemer, J. Non-Cryst. Solids 89, 273 – 281 (1987)

86. Glass Formation and Properties of Chalcogenide Systems
    Optical Glasses for IR – Transmittance.
    A. Feltz, W. Burckhardt, B. Voigt and D. Linke, J. Non-Cryst. Solids 129, 31 – 39 (1991)

87. Review dedicated to Nevil Mott
    Disproportionation as a Source of Constitutional Disorder and Rearrangement in Non-Crystalline Condensed Systems
    A. Feltz, Physics of Disordered Systems, D. Adler, H. Fritzsche and S. R. Ovshinsky Plenum Press New York 1985

88. Review nach dem Vortrag auf der fatalen gesamtdeutschen Tagung in Halle – Vorgeschmack auf den Stil der Wiedervereinigung
    Nichtkristalline Ordnungszustände anorganischer Verbindungen.
    A. Feltz, Nova Acta Leopoldina Neue Folge Nr. 264 Band 59, 149 – 163 (1985)

89. Review
    Struktur- Reaktivitätsbeziehungen in Festkörpern mit hohem Fehlordnungsgrad
    A. Feltz, Mitteilungsblatt der Chemischen Gesellschaft der DDR 29, Heft 5, 97 (1982).

90. Monographie
    460 Seiten, 195 Abbildungen, 1691 Literaturzitate
    A. Feltz Amorphe und glasartige anorganische Festkörper
    Akademie-Verlag Berlin 1983
    Das Buch wurde ins Russische und Englische übersetzt
    Amorfnie i Stekloobrasowanie Neorganiceskie tverdie tela, Verlag Mir 1986
    Amorphous Inorganic Materials and Glasses, Verlag Chemie Weinheim 1993

    Abschluss der Arbeitsphase 1968 – 1985

Vorträge 1970-1985

100 Vorträge zum Arbeitsgebiet auf Tagungen und zu eingeladenen Kolloquien

Festkörperchemie elektronenleitender und infrarotdurchlässiger Gläser – Chalkogenidgläser, Oxidgläser mit Übergangsmetalloxiden und verwandtekristalline Syteme – ab 1982 auch Ioneneleiter und Festkörperreaktivität.

 

1. Über Glasbildung in den Systemen Ge‑Se und Ge‑Te‑J
   A. Feltz, F. Lippmann, H. Büttner,
   Symposium über glasartige Chalkogenid‑Halbleiter 25. ‑ 29. 5. 1970 in Leningrad

2. Über Glasbildung und Eigenschaften der Systeme K₂O – VO₂ – SiO₂ und (K₂O)_x(BaO)_1-x(VO₂)_0,25(SiO₂)_0,5,
   A. Feltz, I. Linke, III. Nationalen Technischen Konfe­renz über Glas und Feinkeramik 20. ‑ 23. 10. 1970 in Varna, Bulgarien

3. Über Strukturbeziehungen bei Erdalikalivanadium(IV,V)‑Oxiden
   A. Feltz, S. Schmalfuß,
   Jahrestagung der Deutsch. Vereinig, f. Krist. DVK vom 1. ‑ 3. 12. 1970 in Leipzig

4. Herstellung und Eigenschaften dotierter BaTiO₃ – Einkristalle
   A. Feltz, H. Langbein, V. Jahrestagung der DVK vom 1. ‑ 3. 12. 1970 in Leipzig

5. Eigenschaften und Anwendung elektronenleitender Oxidgläser mit Vorführung eines Glashalbleiter – ­Bauelements.
   A. Feltz, Halbleiterkonferenz Gera, 22. 10.1970

6. Glashalbleiter
   A. Feltz, Problemseminar „AktIve Bauelemente“ am 19. 11.1970 Karl‑Marx‑Stadt

7. Über Glasbildung und Eigenschaften einiger Vanadindioxid‑Gläser
   A. Feltz, I. Linke, Chemiedozententagung Freiberg 7. 4.1971

8. N(CH₃)₄GeCl₃, ein neues Ferroelektrikum
   Möller, A. Feltz, Chemdozententagung Freiberg 8. 4. 1971

9. Über Schaltphänomene in Glashalbleitern und den Zusammenhang zu Metall – Isolator Übergängen,
   A. Feltz, Technischen Hochschule in Ilmenau 1. 4.1971

10. Über Metall‑Isolator‑Übergänge im Volumen kristalliner und glasartiger Festkörperstrukturen
    A. Feltz, Technische Hochschule Karl‑Marx­Stadt, Sektion Chemie und Werkstofftechnik im Kolloquium der Chemischen Gesellschaft 10.6.1971

11. Über die glasartigen Systeme Ge‑Te‑J und Ge‑Te‑Si und den Einfluß der Mikrophasentrennung auf das Halbleiterverhalten der Ge‑Se‑Gläser
    A. Feltz, H.J. Büttner, F.J. Lippmann, W. Maul, IV. Internationalen Konferenz amorphe und flüssige Halbleiter Ann Arbor, USA, 8. ‑ 13. 8. 1971,

12. Halbleitergläser als Aufzeichnungsmateriallen
    A. Feltz, Abteilungs-Seminar VEB Carl Zeiss 28. 9. 1971

13. Über Beziehungen zwischen Struktur und Eigen­schaften glasartiger Halbleiter
    A. Feltz, 6. Jahrestagung der Deutschen Vereinigung für Kristallographie, Berlin, 16.‑19. 11.1971

14. Über neue experimentelle Ergebnisse zum Schalteffekt an dünnen Glasfilmen
    A. Feltz, Symposium Metall – Isolator – Übergang, Sektion Physik Karl‑Marx‑Universität Leipzig am 15. 12. 1971

15. Verteidigung der Ergebnisse eines dreijährigen Forschungsvertrages im VEB Werk für Fernsehelektronik,
    A. Feltz, F. Schirrmeister, Berlin 23. 12. 1971

16. Glashalbleiter‑Werkstoffe, Eigenschaften, Anwen­dungen
    A. Feltz, Tagung Aktive Bauelemente Karl-­Marx‑Stadt 23. 2. 1971

17. Zum bistabilen LeItfähigkeitsverhalten von Chalkogenidglasfilmen
    A. Feltz, Akademie der Wissenschaften, Physikalischen Kolloquium Berlin 14. 1. 1972

18. Über einige Besonderheiten glasartiger Werkstoffe
    A. Feltz, Problem-SemInar Werkstoffe und Tech­nologie elektronischer Bauelemente, Karl-Marx-Stadt 27. 3. 1972

19. Über Struktur und Reaktivität kovalenter Halb­leitergläser
    A. Feltz, RGW – Treffen Glasartige Chalkogenid-Halbleiter, Sofia 8. 5. 1972

20. Beziehungen zwischen der Frequenzabhängigkeit der Leitfähigkeit und der Struktur der Gläser in den Systemen Sb‑As‑S‑J und Ge‑Se‑Cu
    Möller, A. Feltz , Treffen Glasartige Chalkogenid-Halbleiter Sofia 11. 5. 1972 in

21. Elektronenleitende Gläser
    A. Feltz, Physikalisches Kolloquium der Sektion Physik der FSU, Jena 20. 6. 1972

22. Über das Schaltverhalten amorpher As₃₀Ge₁₀Si₁₂Te₄₈ – Filme
    A. Feltz, F. Schirrmeister,TH Ilmenau, 19. 10. 1972

23. Struktur und Eigenschaften der von den Germaniumsulfiden und –seleniden abgeleiteten Gläser,
    A. Feltz, Kolloquium Institut für Mineralogie, Leipzig 23. 4. 1973

24. Stand und Entwicklung infrarotdurchlässiger optischer Gläser
    A. Feltz, Kolloquium im VEB Jenaer Glaswerk Schott Jena 5. 6. 1973

25. On the Introduction of Heavy metals into Chalcogenide Glasses
    A. Feltz, Jenaer Gespräche über Glas, Jena 13. 6. 1973

26. Structure and properties of glasses formed in the system SnS‑GeS‑GeS₂ and PbS‑GeS‑GeS₂,
    A. Feltz, B. Voigt, E. Schlenzig , V.th Internat. Conf. Amorph. Liquid Semiconductors, Garmisch‑Partenkirchen 3.- 8. 9. 1973,

27. Non‑oxide Glasses with High Contents of Heavy Metals and its Characterization
    A. Feltz, RGW –Treffens Amorphe Halbleiter, Prag 22. 10. 1973

28. Characterization of Amorphous SemIconductors and New Amorphous Materials
    A. Feltz, RGW –Treffens Amorphe Halbleiter Prag 23. 10. 1973

29. Über den Einbau von Schwermetallen In Chalkogenid­gläser
    A. Feltz, Hauptjahrestagung der Chemischen Gesellschaft Dresden 14. 11. 1973

30. Struktur und Eigenschaf ten der Chalkogenidgläser
    A. Feltz, Kolloquium an der TH Magdeburg 11. 12. 1973

31. Zu einigen Problemen der Bildung und Reaktivität glasartlger Verbindungen
    A. Feltz, Hauptjahrestag der Physikalischen Gesellschaft, Leipzig 14. 5. 1974

32. Über den strukturellen Aufbau nichtoxidischer Gläser
    A. Feltz, Kolloquium an der Sektion Physik in Rostock am 13. 6. 1974

33. On Semiconducting Glasses
    A. Feltz, Kolloquium am Physikalischen Institut in Bukarest, 23. – 27. 6. 1975

34. Über Verbindungen, die bisher nur in nichtperiodischen Gittern existieren
    A. Feltz, RGW ‑ Symposium Amorphe Halbleiter Reinhardtsbrunn 11. ‑ 15. 11.1974

35. Über Gläser mit hohem Hg‑Gehal,
    A. Feltz, W. Burckhardt Hauptjahrestagung der Chemischen Gesellschaft Karl – Marx – Stadt, 29. ‑ 31. 10. 1975

36. Über Blei und Zinn enthaltende Germaniumchalko­genidgläser, A. Feltz, L. Senf, B. Künzel Hauptjahrestagung der Chemischen Gesellschaft Karl – Marx – Stadt 29. ‑ 31. 10. 1975

37. Stand und Entwicklung infrarotdurchlässiger optischer Gläser
    A. Feltz, Festkolloquium der Math.‑naturw. Fakultät zum 30. Jahrestages der Neueröffnung der FSU, Jena 12. 11. 1975

38. ESCA‑Measurements of Ge‑S and Ge‑Se‑Glasses
    A. Feltz, B. Voigt, W. Burckhardt, L. Senf, G. Leonhardt
    VI.th Internat. Conf. Amorph. Liquid Semiconductors Leningrad 18. – 24. 11. 1975

39. New Vitreous Semiconductors
    A. Feltz, W. Burckhardt, l. Senf, W. Künzel
    VI.th Internat. Conf. Amorph. Liquid Semiconductors Leningrad 18. – 24. 11. 1975

40. New Vitreous Semiconductors
    A. Feltz, W. Burckhardt, l. Senf, W. Künzel, A P Conference on Structure and Excitation of Amorphous Solids, Williamsburg USA, 22. – 24. 3. 1976

41. Chalkogenidgläser mit hohem Schwermetallgehalt
    A. Feltz, Kolloquium am Institut für Festkörperphysi, Prag am 24. 5. 1976

42. Nichtstöchiometrie anorganischer Verbindungen
    A. Feltz, Jahrestagung der Vereinigung für Kristallographie, Leipzig am 16. 11. 1976

43. Bildung und Verhalten einiger glasartiger Verbindungen in Germaniumchalkogenidsystemen
    A. Feltz, Symposium der Problemgruppe Festkörperreaktivität, Berlin 22. 3. 1977

44. On Structure of GeS/GeS₂ ‑ and GeSe/GeSe₂ –Glasses and Amorphous Compounds of Ge₂S₃ and Ge₂Se₃,
    A. Feltz, K. Zickmüller, G. Pfaff
    VII. Internat. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors, Edinburgh, 27. 6. – 1. 7. 1977

45. Germaniumchalkogenidgläser mit hohem Gehalt an Zinn, Blei oder Quecksilber
    A. Feltz, W. Burckhardt, L. Senf, B. Voigt, XI. Internationaler Glaskongreß Prag 4. – 8. 7. 1977

46. Struktur‑Eigenschaftsbeziehungen bei elektronenleitenden Gläsern
    A. Feltz, Arbeitstagung der KFA Glas, Jena 3./4. 11. 1977

47. Zusammenhang zwischen Struktur und elektrischer Leitfähigkeit bei Chalkogenidgläsern
    A. Feltz, Herbstschule Amorphe Festkörper, Potsdam am 3. 12. 1977

48. Glasbildung und Eigenschaften in Chalkogenid­systemen auf der Grundlage der GeS/GeS₂ – und GeSe/Gese₂ ‑ Glasbildungssysteme
    A. Feltz, Kolloquium am Kurnakow‑Institut Moskau am 10. 1. 1978

49. Zur Abhängigkeit der Gleichspannungsleitfähigkeit von der Polarisierbarkeit der Sauerstoffionen in Vanadinoxid enthaltenden Gläsern
    A. Feltz, Kolloquium Institut für Physik der Universität, Marburg am 7. 4. 1978

50. Über Struktur und Eigenschaften neuer Germanium­chalkogenidgläser.
    A. Feltz, Kolloquium Marburg am 7. 4. 1978

51. Über neue infrarotdurchlässige optische Gläser
    A. Feltz, B. Voigt, L. Senf, G. Dresler, Internationalen Otto ‑ Schott­ – Kolloquiums, Jena am 11. – 13. 7. 1978

52. Synthese anorganischer Verbindungen unter Einsatz glasartiger Substanzen
    A. Feltz, Hauptjahrestagung der Chemischen Gesellschaft der DDR, Leipzig am 15. 11. 1978­

53. Zur Charakterislerung von Gläsern durch Messung der Dielektrizitätskonstanten
    Aust, A. Feltz, Chemiedozententagung, Freiberg 1979

54. Über den Zusammenhang zwischen Polarisierbarkeit und Gleichspannungsleitfähigkeit in VO₂ enthal­tenden Gläsern,
    R. Wollenhaupt, A. Feltz, Chemiedozententagung Freiberg 1979

55. Zur Chemie glasbildenden Chalkogenidsysteme,
    A. Feltz, Kolloquium Chemische Gesellschaft TU Dresden 7. 6. 1979

56. Infrarotdurchlässige Gläser,
    A. Feltz, Arbeitstagung des WB Glaschemie Jena am 22. 5. 1979

57. Möglichkeiten der Infrarotspektroskopie bei der Strukturaufklärung von Gläsern
    A. Feltz, Kolloquium Sektion Physik Rostock am 4. 4. 1979

58. Beiträge zur Strukturchemie halbleitender Gläser,
    A. Feltz Kolloquium Chemische Gesellschaft Sektion Chemie der HU Berlin 19. 4. 1979

59. The Poole‑Frenkel‑Effect in the Model of Charged Dangling Bonds Applied to Amorphous Thin Films of Ge₄Se₅Te,
    A. Feltz, F. Schirrmeister, H. Kahnt
    VIII.th Internat. Conf. Amorphous. Liqu. Semiconductors, Cambridge/Ma. USA 27. ‑ 31. 8.1979

60. Electricel Conductivity of VO₂ –Containing Glasses and its Dependence on the Polarizabillty of the Oxide Ions,
    A. Feltz, R. Wollenhaupt
    VIII.th Internat. Conf. Am. Liqu. Semiconductors, Cambridge Ma USA, 27. ‑ 31. 8. 1979

61. Zur Strukturchemie.der Germaniumchalkogenide
    A. Feltz, Clemens‑Winkler‑Kolloquium Freiberg 26. 10. 1979

62. Die Rolle der Gravitation im Prozess der Her­stellung optischer Gläser und Konsequenzen bei weitgehender Herabminderung des Gravitationsfeldes
    A. Feltz, Veranstaltung bei der Akademie der Wissenschaften, Dresden 11. 11. 1980

63. Struktur‑Eigenschaftsbeziehungen an optischen Gläsern
    A. Feltz, 2. Tagung Festkörperphysik der Physikalischen Gesellschaft, Rostock am 28.11.1980

64. Struktur und Eigenfehlordnung glasartiger Verbindungen
    A. Feltz, Hauptjahrestagung der Chemischen Gesellschaft Karl–Marx-Stadt 2. – 4. 12. 1980

65. Struktur‑Eigenschaftskorrelationen an optischen Gläsern
    A. Feltz, Frühjahrsschule Optik, Kursdorf 16. ‑ 20. 3. 1981

66. Grundlegende Glasbildungssysteme und ExIstenzbedingungen nicht kristalliner Verbindungen,
    A. Feltz, Chemisches Kolloquium TH Leuna-Merseburg 17. 2. 1981

67. Amorphe Halbleiter,
    A. Feltz Kolloquium der Math.‑Naturw.‑Fakultät FSU Jena, 27. 5. 1981

68. Evidence for charged intrinsic defects in amorphous semiconductors for high field conduction,
    A. Feltz, H. Kahnt, F. Schirrmeister Internat. Conf. Amorph. Liquid semiconductors Grenoble 2. – 8. 7. 1981

69. Conductivity and permittivity measurements indicating changes of the structure in semiconducting glasses,
    A. Feltz, Kolloquium TH Budapest, Inst. für Analyt. Chemie, Budapest 21. –24. 10. 1981

70. On the Defect Chemistry in Non‑Crystalline Semiconducting Materials
    A.. A. Feltz, Kolloquium am Institut für Festkörperchemie der Universität Bordeaux 10. 7. 1981

71. Vorbereitung eines Experiments zur konvektionslosen Interdiffusion von Na⁺– und Ag+-Ionen beim Verschmelzen zwecks Erzeugung von Brechzahlgradienten,
    A. Feltz, Ch. Kaps, Vortrag am Institut für Kosmische Forschung IKI, Moskau 28. 10. 1981.

72. Zu einigen Fragestellungen der Festkörperchemie glasbildender Systeme
    A. Feltz, 1. Tagung der AG Festkörperchemle, Gründungsveranstaltung, Gera 6./7. 4. 82

73. Struktur und Eigenfehlordnung glasbildender Ver­bindungen

74. A. Feltz, 2. Internationales Otto‑Schott‑Kolloquium Jena, 12. ‑16. 7. 82

75. Struktur und Eigenschaften der nichtkristallInen Verbindungen Ge₂S₃ und Ge₂Se₃
    A. Feltz, M. Pohle , G. Pfaff, 2. Internationales Otto‑Schott‑Kolloquium, Jena, 12. ‑ 16. 7. 82

76. Structure and Properties of the Non‑Crystalline Compounds Ge₂S₃ and Ge₂Se₃
    A. Feltz, M. Pohle, G. Pfaff, 2. European Conference on Solid State Chemistry Eindhoven ‑ 9. 6. 1982

77. Charged Defects in Inorganic Liquids and Glass Forming Systems,
    A. Feltz, RGW‑Tagung Amorphous Semiconductors 82, Bukarest 30. 8. ‑ 4. 9. 1982

78. Permittivity and Structure of Glasses in the Systems As_xSe_1-x and Ge_xSe_1-x
    A. Feltz, H. Aust, A. Blayer, RGW‑Tagung Amorphous Semiconductors 82, Bukarest 30. 8. ‑ 4. g. 1982

79. Darstellung und Eigenschaften von Gläsern unter den Bedingungen der Mikrogravitation
    A. Feltz, Interkosmos‑Tagung Sofia, Rilagebirge 20. ‑ 25. 9. 1982

80. Beziehungen zwischen Struktur und optischen Eigenschaften von Gläsern
    A. Feltz, Kolloquium an der Pädagogischen Hoch­schule Erfurt am 27. 5. 1982

81. Struktur und Eigenfehlordnung glasbildender Ver­bindungen
    A. Feltz, Kolloquium Sektion Chemie Greifswald 21. 10. 1982

82. Compound Formation in Glass Forming Chalcogenide Systems
    A. Feltz, Kolloquium TH Chemie Pardubice 10./11. 82

83. Optimlerte lonenleiter
    A. Feltz, Anorganiker‑Symposium Steinförde 19. 1. 1983

84. Glasbildung im System Bi₂O₃ – P₂O₅,
    A. Feltz, A. Morr, 17. Jahrestagung der VfK, Leipzig, ‑ 22. 4. 1983

85. Zur Modifizierung der Ionenleitfähigkeit von Na₃Zr₂(SiO₄)₂(PO₄) durch gekoppelte Substitution
    A. Feltz, St. Barth, 17. Jahrestagung der VfK Leipzig 20. ‑ 22. 4. 1983

86. Anorganische Festkörper mit optimlerter Ionen­leitung,
    A. Feltz, Chemisches Kolloquium Sektion Chemie Berlin der HU 5. 5. 1983

87. Preparation and Conductivity of Na₃M^IIZr(SiO₄)₂(PO₄) (M^II: Mn, Mg, Zn).
    A. Feltz, 4. Internationale Konferenz über feste Ionenleiter, Grenoble 4. ‑ 8. 7. 1983

88. Beurteilung der Reaktivität von Feststoffen am Beispiel der Umsetzung von a ‑ Fe₂O₃ mit ZnO,
    A. Feltz, Hauptjahrestagung 1983 der Chemi­sehen Gesellschaft Berlin 2. ‑ 4. 11. 1983

89. Struktur – Eigenschaftsbeziehungen optischer Medien
    A. Feltz, 129. Optik ‑ Kolloquium des Kombinat VEB CZ, Jena 6. 12. 1983

90. Ionic Conductivity Phenomena in Optimized Vitreous and Ceramic Materlals
    A. Feltz, Kolloquium Zentrallaboratorium für Elektrochemische Stromquellen der Bulgarische Akademie der Wissenschaften, Sofia, 12. 1. 1984

91. Structure of Glass Forming Melts in the Range of Low Melting Eutectics
    A. Feltz, Kolloquium Zentralinstitut für Physikalische Chemie der Bulgarischen Akademie der Wissenschaften, Sofia 13. 1. 84

92. Moderne Entwicklungen auf dem Gebiet der Festelektrolyte
    A. Feltz, Vortrag vor dem Rat der HFR 8 Elektrochemie, Dresden am 24.2.84

93. Struktur‑Transportbeziehungen in Festkörpern
    A. Feltz, Kolloquium am Zentralinstitut für Kernforschung Rossendorf am 12. 4. 84

94. lonenleitende Festkörper
    A. Feltz, Vortragstagung im Kombinat Keramische Werk Hermsdorf 24. 5. 1984

95. α – Fe₂O₃ of different origin characterized by the reactivity in the interaction with Zn0
    A. Feltz, A. Martin, 10. Internat. Symposium über die Reaktivität der Festkörper, Dijon 27. 8. ‑ 1. 9. 1984

96. Festkörperchemie und Reaktionsverhalten von . α – Fe₂O₃ im Prozeß der Ferritbildung
    A. Feltz, Kolloquium am Institut für Festkörperchemie der Sibir. Abt. der Akad. der Wissenschaften der UdSSR, Nowosibirsk am 22. 6. 1984

97. Beurteilungskriterien für Eisenoxidpulver
    A. Feltz, Hauptvortrag, 1 . Fachtagung Technische Keramik der Kammer der Technik

98. Struktur und lonentransportprozesse in Gläsern,
    A. Feltz, VII. Tagung der VfK, Rostock 23. ‑ 26. 4.1985

99. High Purity Materials in Science and Technology Ion Conducting Glasses‑Preparation, Properties, Applications,
    A. Feltz, Reinststofftagung Dresden 6. ‑ 10. 5. 1985

100. Ordering States in Non‑Crystallie Solids
     A. Feltz, G. Pfaff, Int. Conf. Amorph. Liqu. Semiconductors, Rom 2.‑ 6. 9. 1985

101. Nichtkristalline Ordnungszustände anorganischer Verbindungen
     A. Feltz, Hauptvortrag, Chemie der Hauptgruppenelemente ‑ Stand und Erwartung, Halle ‑ Leopoldina 9. ‑ 12. 10. 1985

Vorlesungen

* Große Experimentalvorlesung Anorganische Chemie

* Anorganische Strukturchemie

* Geschichte der Chemie